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薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置制造方法及图纸

本专利技术资料提供了一种薄膜晶体管基板及其制作方法、像素结构、显示装置,所述薄膜晶体管基板的制作方法包括:利用包含有金属靶材的材料,在衬底基板上形成过渡层;在...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1901... 2019-5-13

薄膜晶体管结构制造技术,有机薄膜晶体管结构专利_技高网

一种薄膜晶体管结构,其应用于有源式矩阵液晶平面显示器,其包含: 一基板,其上具有多个本征区域、至少一个第一掺杂区及二个第二掺杂区,其中该第一掺杂区形成于...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_3203... 2019-5-17

IGZO薄膜晶体管及其制作方法技术,薄膜晶体管专利_技高网

本专利技术资料公开了一种IGZO薄膜晶体管,包括衬底、栅电极层、栅极绝缘层、IGZO有源层、保护层、源极和漏极,栅极绝缘层覆盖在栅电极层上,IGZO有源...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1697... 2018-1-7

驱动薄膜晶体管以及使用其的有机发光显示装置制造方法及图纸

子像素中设置至少两个薄膜晶体管和一个电容器(2T1C)以便允许针对灰度对单个子像素选择性地进行驱动,并且在这种情况下,各个薄膜晶体管具有相同的结构...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1842... 2018-7-12

薄膜晶体管背光模组自动贴合装置制造方法及图纸,生物识别模组贴合...

薄膜晶体管背光模组自动贴合装置,包括不锈钢柜体,其一端设有入料库,其另一端设有出料库,其顶部设有四轴机械手;入料库和出料库之间依次设有自动去...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1443... 2017-1-14

一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极制造技术

本专利发明技术资料公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极。所述的氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极包括依次沉积在有源层上的刻蚀缓冲层、黏附阻挡层...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1768... 2019-5-15

一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法技术,金属氧化物薄膜晶体管...

本专利技术资料提供一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法,所述的金属氧化物薄膜晶体管,包括衬底,呈层状设置在衬底上的栅极、栅绝缘层、金属氧化物...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1488... 2017-3-24

一种基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器及其制备方法技术

本专利技术资料公开了一种基于双栅薄膜晶体管的多功能传感器,包括双栅薄膜晶体管和在所述双栅薄膜晶体管的顶栅极耦合的物理场中的一种或多种;所述...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1646... 2017-10-28

一种高性能底栅型TFT器件结构及其制备方法技术,tft顶栅与底栅结构...

不管是哪种结构薄膜晶体管,都包含着基板、栅电极、栅电极绝缘层、有源层及其源漏电极等,在现在的研究中,底栅顶接触型薄膜晶体管的良好的结构性能...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1201... 2015-9-9

一种双有源层Cu2O/SnO p沟道薄膜晶体管制造技术,双n沟道mos管专利...

本专利发明技术资料属于半导体技术领域,公开了一种双有源层Cu2O/SnO p沟道薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1349... 2016-8-8