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鳍式场效应晶体管(FINFET)器件结构及其形成方法技术

本专利技术资料提供了鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构及其形成方法。FinFET器件结构包括衬底和从衬底延伸的鳍结构。FinFET器件结构也包括形成在鳍结构中的抗穿通...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1417... 2018-12-12

鳍式场效应晶体管结构及其制造方法技术,鳍式场效应晶体管专利_技...

本专利技术资料实施例公开一种鳍式场效应晶体管,其包括衬底、至少一个栅极堆叠件和外延材料部分。所述衬底具有鳍和位于鳍之间的绝缘体,所述鳍包含沟道部分和位于...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1621... 2018-11-25

场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统制造方法及图纸_技...

本专利技术资料提供场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。所述场效应晶体管包含:基底;保护层;在基底和保护层之间形成的栅绝缘层;与栅绝缘层接触形成的源...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1943... 2018-11-17

一种非对称双栅场效应晶体管结构制造技术,非对称交易结构专利_技...

本专利技术资料公开了一种非对称双栅场效应晶体管结构,包括栅极控制端、源区、漏区、导电沟道以及位于导电沟道上下两侧的厚度不同的前栅栅介质和背栅栅介质,导电...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1859... 2018-11-23

一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法技术

本专利技术资料公开了一种垂直结构GaN基增强型场效应晶体管及其制造方法。该器件包括衬底层(1)、缓冲层(2)、非故意掺杂GaN(i‑GaN)外延层(3)、n型AlGaN外延...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1470... 2018-12-3

一种插入倒T形介质层的鳍式场效应晶体管及其制备方法技术,10BASE-...

本专利技术资料提出了一种插入倒T形介质层的FinFET器件及其制备方法,属于超大规模集成电路制造技术领域。本专利技术资料通过在sub‑Fin区域形成超薄倒T...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1862... 2018-8-8

鳍式场效应晶体管及其制造方法技术,鳍式场效应晶体管专利_技高网

本专利技术资料实施例提供了一种包括衬底、多个隔离件、栅极堆叠件和应变材料部分的FinFET。衬底包括位于其上的至少两个鳍。隔离件设置在衬底上,位于鳍之间的每个...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1543... 2018-11-24

一种氧化镓基底场效应晶体管及其制备方法技术,电力场效应晶体管...

本专利技术资料提供一种氧化镓基底场效应管制备方法,其中包括:步骤一、提供氧化镓基底;步骤二、在氧化镓基底表面淀积宽禁带氧化物层;步骤三、在宽禁带氧化物层上...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1653... 2018-12-7

一种氮化鎵基异质结场效应晶体管结构制造技术,异质结场效应晶体管...

本专利技术资料涉及一种氮化鎵基异质结场效应晶体管结构,包括以下特征:氮化鎵基异质结材料中的宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与窄禁带材料GaN形成I型异质结,外延层表面...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1779... 2018-12-3

鳍式场效应晶体管及其形成方法技术,鳍式场效应晶体管专利_技高网

本专利技术资料提供了一种鳍式场效应晶体管及其形成方法,所述方法包括:提供基底,所述基底上具有凸起的鳍部;形成覆盖所述鳍部的黑磷层;在所述鳍部周围的基底上...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1579... 2018-12-4