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超结MOSFET单结终端结构制造技术,中国终端能源消费结构专利_技高网

本专利发明技术资料提供一种超结MOSFET单结终端结构,包括N+型衬底及形成于所述N+型衬底上的N‑型外延层;N‑型外延层包括元胞区和包围所述元胞区的终端区;...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1658... 2019-2-7

一种无偏置端的小型规定时序混合延时继电器制造技术,小型混合机...

且采用两层结构设计,体积小、寿命长,环境适应性能好、可靠性高,泄漏率...所述动作延时电路由单结晶体管V1、电容C1、三极管U1组成,电容C1并联在单...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1124... 2015-4-1

交直流电焊机空载自停节电开关制造技术,交直流电焊机专利_技高网

本专利发明技术资料公开了一种交直流电焊机空载自停节电开关,它由机体、选择开关HK、控制变压器JB、交流接触器JC以及三极管、继电器和单结晶体管组成,...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_3338... 2012-4-11

电子式延时的时间继电器制造技术,延时时间继电器专利_技高网

单结晶体管T1和晶闸管VTH;通电后经过延时后继电器才得电吸合,实现精准...本技术的优点:本技术的时间继电器为电子式延时,不对传统的机械结构作改进...
www.jigao616.com/zhuanlijieshao_1565... 2017-6-18